Пластина из карбида кремния Двойной плоскошлифовальный станок Решение

Модель машины: YHDM580B Двухдисковая шлифовальная машина — метод циклического шлифования

Заготовка: Пластина из карбида кремния (SiC)

Требование: 7.150±0.002 мм, плоскостность/параллельность менее 0.01 мм, шероховатость Ra менее 0.9.

Карбид кремния (SiC) — неорганический материал, обладающий механическими, термическими, электрическими и химическими свойствами, благодаря чему он широко применяется в развитых отраслях промышленности. Однако полезные свойства керамики SiC, такие как высокая твердость, высокая прочность, износостойкость, чрезвычайная хрупкость и химическая стабильность, делают обработку SiC сложной и дорогостоящей с использованием традиционных и нетрадиционных методов обработки. Алмазный шлифовальный круг обеспечивает высокий MRR, не влияя на морфологию и качество поверхности. При шлифовании SiC свойства материала круга и заготовки являются важным фактором для прогнозирования шероховатости поверхности. В компьютеризированном шлифовальном станке с числовым программным управлением с использованием алмазных инструментов на металлической связке создается низкий уровень наведенных повреждений. Микроструктурная неоднородность значительно увеличивает скорость сверления и шлифования SiC. Увеличение динамической вязкости разрушения привело к тому, что высокий MRR SiC, имеющий лучшую чистоту поверхности, был достигнут в процессе высокоскоростного шлифования. При методах шлифования с использованием абразивных кругов на связке на зеркалах из SiC достигается низкая шероховатость поверхности и высокая точность формы. Сочетание высокой скорости заготовки и скорости поднятого шлифовального круга может уменьшить фазовое превращение, наблюдаемое в процессе высокоскоростного круглого шлифования.